Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
25 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V @ 5A, 25A
2.9V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
25 @ 1.5A, 4V
40 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max.
125 W
150 W
Frequenz - übergang
3MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
TO-3
