Transistor-Typ
NPN
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
25 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V @ 5A, 25A
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
25 @ 1.5A, 4V
4000 @ 1A, 5V
Leistung - Max.
125 W
1 W
Frequenz - übergang
3MHz
1GHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
TO-92L
