Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV @ 600mA, 12A
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA (ICBO)
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
150 @ 3A, 2V
4000 @ 1A, 5V
Frequenz - übergang
-
1GHz
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
TO-92L
