NTE170
NTE170
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 1000V 2A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE170 Datenblatt
Geschichte Preis: $3.00000
Vorrätig: 12900
NTE170 vs NTE53508
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Three Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
1 kV
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2 A
35 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 2 A
1.19 V @ 40 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 1000 V
10 μA @ 800 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
QC Terminal
Gehäuse / Hülle
4-SIP
4-Square
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
-