NTE169
NTE169
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 600V 2A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE169 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.92000
Vorrätig: 11200
NTE169 vs NTE5340
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2 A
40 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 2 A
1.2 V @ 20 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
10 μA @ 200 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 165 ℃ (TJ)
175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
QC Terminal
Gehäuse / Hülle
4-SIP
4-Square
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
-