NTE167
NTE167
Active
Beschreibung:  R-SI BRIDGE 200V 2A
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE167 Datenblatt
Geschichte Preis: $2.36000
Vorrätig: 7800
NTE167 vs NTE5740
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Three Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
200 V
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
2 A
30 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 2 A
1.1 V @ 30 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 200 V
2 mA @ 800 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 165 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
4-SIP
Module
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-SIP
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