NTE125-100
NTE125-100
Active
Beschreibung:  DIODE GP 1KV 1A DO41 100/PKG
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE125-100 Datenblatt
Geschichte Preis: $60.80000
Vorrätig: 34500
NTE125-100 vs NTE620
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
500mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
1.2 V @ 500 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
5 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
-
7pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
DO-213AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-41
DO-213AA
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃