Transistor-Typ
NPN
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
1.5V @ 2mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10nA
100nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
4000 @ 1A, 5V
Leistung - Max.
800 mW
1 W
Frequenz - übergang
300MHz
1GHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
TO-92L
