NTE117
NTE117
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE117 Datenblatt
Geschichte Preis: $6.05000
Vorrätig: 24300
NTE117 vs NTE634
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
750mA
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 500 mA
980 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
25 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
400 μA @ 600 V
5 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
100pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AE, DO-26, Axial
SOD-57, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-26
SOD-57
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃