NTE117
NTE117
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE117 Datenblatt
Geschichte Preis: $6.05000
Vorrätig: 24300
NTE117 vs NTE6163
Teilenummer
Reihe
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Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
1400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
750mA
150A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 500 mA
1.1 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
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Strom - Sperrleckstrom bei Vr
400 μA @ 600 V
5 mA @ 1400 V
Kapazität bei Vr, F
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Montagetyp
Through Hole
Stud Mount
Gehäuse / Hülle
DO-204AE, DO-26, Axial
DO-203AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-26
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 190 ℃