NTE116
NTE116
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE116 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.62000
Vorrätig: 19200
NTE116 vs NTE625
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
1.3 V @ 8 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
150 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
10 μA @ 200 V
Kapazität bei Vr, F
-
50pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-41
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃