NTE116-100
NTE116-100
Active
Beschreibung:  DIODE GP 600V 1A DO41 100/PKG
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE116-100 Datenblatt
Geschichte Preis: $49.60000
Vorrätig: 22600
NTE116-100 vs NTE633
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1A
250mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
4 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
1 μA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
-
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-204AL, DO-41, Axial
SC-76, SOD-323
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-41
SOD-323
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 175 ℃
150 ℃