NTE104
NTE104
Active
Beschreibung:  TRANS PNP 35V 10A TO3
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE104 Datenblatt
Geschichte Preis: $25.62000
Vorrätig: 2000
NTE104 vs NTE59
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
17 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
35 V
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
290mV @ 400mA, 4A
2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 20mA, 2V
20 @ 8A, 4V
Leistung - Max.
90 W
200 W
Frequenz - übergang
300kHz
20MHz
Betriebstemperatur
100 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
3-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
3-SIP