NTE104
NTE104
Active
Beschreibung:  TRANS PNP 35V 10A TO3
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE104 Datenblatt
Geschichte Preis: $25.62000
Vorrätig: 2000
NTE104 vs NTE399
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
PNP
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
35 V
300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
290mV @ 400mA, 4A
600mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA (ICBO)
1μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 20mA, 2V
100 @ 5mA, 10V
Leistung - Max.
90 W
900 mW
Frequenz - übergang
300kHz
50MHz
Betriebstemperatur
100 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
TO-92L