Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
24 V
400 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
200mV @ 1mA, 24mA
2.9V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5μA (ICBO)
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 12mA, 150mV
40 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max.
150 mW
150 W
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 100 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5
TO-3