Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
24 V
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
200mV @ 1mA, 24mA
1.5V @ 100μA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5μA (ICBO)
500nA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 12mA, 150mV
10000 @ 100mA, 5V
Leistung - Max.
150 mW
625 mW
Frequenz - übergang
-
200MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 100 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-5
TO-92
