MSRT150100A
MSRT150100A
Active
Beschreibung:  DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Hersteller:  GeneSiC Semiconductor
Datenblatt:   MSRT150100A Datenblatt
Geschichte Preis: $41.18400
Vorrätig: 12600
MSRT150100A vs MSRT25060A
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Cathode
1 Pair Common Cathode
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
150A
250A (DC)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 150 A
1.2 V @ 250 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 600 V
15 μA @ 600 V
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
Three Tower
Three Tower
Gehäusetyp vom Lieferanten
Three Tower
Three Tower