MSRT10080AD
MSRT10080AD
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Hersteller:  GeneSiC Semiconductor
Datenblatt:   MSRT10080AD Datenblatt
Geschichte Preis: $57.69880
Vorrätig: 10900
MSRT10080AD vs MSRTA20060AD
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Active
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Series Connection
1 Pair Series Connection
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
100A
200A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 100 A
1.1 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
10 μA @ 600 V
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
Three Tower
Three Tower
Gehäusetyp vom Lieferanten
Three Tower
Three Tower