MSRT10080AD
MSRT10080AD
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER
Hersteller:  GeneSiC Semiconductor
Datenblatt:   MSRT10080AD Datenblatt
Geschichte Preis: $57.69880
Vorrätig: 10900
MSRT10080AD vs MSRD620CTG
Teilenummer
Reihe
-
SWITCHMODE
Verpackung
Bulk
Bulk or Tube
Status
Active
Obsolete
Diodenkonfiguration
1 Pair Series Connection
1 Pair Common Cathode
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
100A
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 100 A
1.15 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
55 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 800 V
5 μA @ 200 V
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
Montagetyp
Chassis Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
Three Tower
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
Three Tower
DPAK