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MMBD352WT1G
MMBD352WT1G
Active
Beschreibung:  RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   MMBD352WT1G Datenblatt
Geschichte Preis: $0.37000
Vorrätig: 1820
MMBD352WT1G vs MMBD354LT1G
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Diodentyp
Schottky - 1 Pair Series Connection
Schottky - 1 Pair Common Cathode
Spannung - Spitzensperr- (max.)
7V
7V
Strom - Max.
-
-
Kapazität bei Vr, F
1pF @ 0V, 1MHz
1pF @ 0V, 1MHz
Widerstand bei If, F
-
-
Verlustleistung (max.)
200 mW
225 mW
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
SC-70, SOT-323
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-70-3 (SOT323)
SOT-23-3 (TO-236)