FET-Typ
P-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
6 V
16 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
1.8V, 4.5V
2.7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
84mOhm @ 100mA, 4.5V
1Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
1.2V @ 250μA
1.4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
100 pF @ 12 V
Verlustleistung (max.)
270mW (Ta)
568mW (Ta)
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-70-6
SOT-143
Gehäuse / Hülle
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TO-253-4, TO-253AA
