KBL403G
KBL403G
Active
Beschreibung:  DIODE BRIDGE 4A 200V KBL
Hersteller:  Taiwan Semiconductor
Datenblatt:   KBL403G Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 41500
KBL403G vs KBL606
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Bulk
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
-
Technologie
Standard
-
Spannung - Spitzensperr- (max.)
200 V
-
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4 A
-
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 4 A
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 200 V
-
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Through Hole
-
Gehäuse / Hülle
4-SIP, KBL
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
KBL
-