Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
FET-Typ
P-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10A (Ta)
51A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
13.6mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
92 nC @ 10 V
46 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1700 pF @ 25 V
1460 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
82W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
TO-262
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
