GI751-E3/73
GI751-E3/73
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 100V 6A P600
Hersteller:  Vishay
Datenblatt:   GI751-E3/73 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.93000
Vorrätig: 48700
GI751-E3/73 vs GI758
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Box (TB)
Bag
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
6A
6A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
900 mV @ 6 A
950 mV @ 6 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
2.5 μs
2.5 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 100 V
5 μA @ 800 V
Kapazität bei Vr, F
150pF @ 4V, 1MHz
150pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
P600, Axial
Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
P600
Axial
Betriebstemperatur - übergang
-50 ℃ ~ 150 ℃
-65 ℃ ~ 175 ℃