GBLA02H
GBLA02H
Active
Beschreibung:  DIODE BRIDGE 4A 200V GBL
Hersteller:  Taiwan Semiconductor
Datenblatt:   GBLA02H Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 32000
GBLA02H vs GBLA005
Teilenummer
Reihe
Automotive, AEC-Q101
-
Verpackung
Tube
Tube
Status
Active
Active
Diodentyp
Single Phase
Single Phase
Technologie
Standard
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
200 V
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3 A
3 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1 V @ 4 A
1 V @ 4 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 200 V
5 μA @ 50 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
4-SIP, GBL
4-SIP, GBL
Gehäusetyp vom Lieferanten
GBL
GBL