Reihe
UltraFET
PowerTrench
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Bulk
FET-Typ
N-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.9A (Tc)
3.4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
47mOhm @ 4.9A, 10V
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
3V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
3.5 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2050 pF @ 25 V
205 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
8-SOIC
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
