FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120A (Tc)
15A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
440mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5V @ 250μA
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
220 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
15160 pF @ 25 V
3095 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
38.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
