ES3G-E3/9AT
ES3G-E3/9AT
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Hersteller:  Vishay
Datenblatt:   ES3G-E3/9AT Datenblatt
Geschichte Preis: $0.65000
Vorrätig: 35600
ES3G-E3/9AT vs ES3GB
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
400 V
400 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 3 A
1.13 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
50 ns
35 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 400 V
10 μA @ 400 V
Kapazität bei Vr, F
30pF @ 4V, 1MHz
41pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-214AB, SMC
DO-214AA, SMB
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AB (SMC)
DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃