Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
65 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Ta)
4A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 3mA
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4 nC @ 5 V
0.45 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
+6V, -4V
+6V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
407 pF @ 50 V
52 pF @ 32.5 V
Verlustleistung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Die
