Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Merkmal
30V
60V, 100V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
16A (Ta)
1.7A, 500mA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 5mA
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Vgs(th) (max.) bei Id
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
Die
9-BGA (1.35x1.35)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
-
