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EPC2106
EPC2106
Active
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Beschreibung:  GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Hersteller:  EPC
Datenblatt:   EPC2106 Datenblatt
Geschichte Preis: $1.73000
Vorrätig: 20850
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
EPC2106 vs EPC2101ENGRT
Teilenummer
EPC2106
EPC2101ENGRT
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller
EPC
EPC
Reihe
eGaN
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Discontinued
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Half Bridge)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Merkmal
100V
60V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1.7A
9.5A, 38A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70mOhm @ 2A, 5V
11.5mOhm @ 20A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 600μA
2.5V @ 2mA
Vgs(th) (max.) bei Id
0.73nC @ 5V
2.7nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
75pF @ 50V
300pF @ 30V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Surface Mount
Montagetyp
Die
Die
Gehäuse / Hülle
Die
Die
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
-
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