Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Merkmal
100V
60V, 100V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
23A
1.7A, 500mA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.3mOhm @ 20A, 5V
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 5.5mA
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Vgs(th) (max.) bei Id
7nC @ 5V
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
800pF @ 50V
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
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Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
Die
9-BGA (1.35x1.35)
Gehäusetyp vom Lieferanten
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