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EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT
Discontinued
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Beschreibung:  GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Hersteller:  EPC
Datenblatt:   EPC2101ENGRT Datenblatt
Geschichte Preis: Discontinued at Digi-Key
Vorrätig: 905
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
EPC2101ENGRT vs EPC2103
Teilenummer
EPC2101ENGRT
EPC2103
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Transistoren - FETs, MOSFETs - FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller
EPC
EPC
Reihe
eGaN
eGaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Discontinued
Active
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Half Bridge)
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Merkmal
60V
80V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
9.5A, 38A
28A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11.5mOhm @ 20A, 5V
5.5mOhm @ 20A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 2mA
2.5V @ 7mA
Vgs(th) (max.) bei Id
2.7nC @ 5V
6.5nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
300pF @ 30V
760pF @ 40V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Surface Mount
Montagetyp
Die
Die
Gehäuse / Hülle
Die
Die
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
-
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