Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Half Bridge)
2 N-Channel (Dual) Common Source
Konfiguration
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
9.5A, 38A
3.4A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
60mOhm @ 4A, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
2.5V @ 700μA
Vgs(th) (max.) bei Id
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
0.8nC @ 5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
80pF @ 60V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
-
-
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
-
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
-
