Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tray
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8.2A (Ta)
1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 3mA
2.5V @ 140μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.5 nC @ 5 V
-
Vgs (Max.)
+6V, -4V
+7V, -4V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
575 pF @ 50 V
22 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
4-SMD
Gehäuse / Hülle
Die
4-SMD, No Lead
