Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
90A (Ta)
48A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.2mOhm @ 25A, 5V
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 12mA
2.5V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
10 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 50 V
1140 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
-
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
Die
Die
