EMB3FHAT2R
EMB3FHAT2R
Not For New Designs
Beschreibung:  PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Hersteller:  Rohm Semiconductor
Datenblatt:   EMB3FHAT2R Datenblatt
Geschichte Preis: $0.35000
Vorrätig: 13700
EMB3FHAT2R vs EMB3T2R
Teilenummer
Reihe
Automotive, AEC-Q101
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Not For New Designs
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
4.7kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
-
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 2.5mA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA (ICBO)
-
Frequenz - übergang
250MHz
250MHz
Leistung - Max.
150mW
150mW
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SOT-563, SOT-666
SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten
EMT6
EMT6