EMB10T2R
EMB10T2R
Active
Beschreibung:  TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Hersteller:  Rohm Semiconductor
Datenblatt:   EMB10T2R Datenblatt
Geschichte Preis: $0.10844
Vorrätig: 5200
EMB10T2R vs EMB2T2R
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
47kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47kOhms
47kOhms
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
500nA
Frequenz - übergang
250MHz
250MHz
Leistung - Max.
150mW
150mW
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
SOT-563, SOT-666
SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten
EMT6
EMT6