FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
95A (Tc)
150A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
109 nC @ 10 V
38 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6800 pF @ 25 V
5000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
