DB207S
DB207S
Active
Beschreibung:  DBS 1000V 2.0A Diodes Bridge R
Hersteller:  Yangjie Technology
Datenblatt:   DB207S Datenblatt
Geschichte Preis: $0.11500
Vorrätig: 37800
DB207S vs DB202
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
Status
Active
Active
Diodentyp
-
Single Phase
Technologie
-
Standard
Spannung - Spitzensperr- (max.)
-
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
-
2 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.1 V @ 2 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
-
5 μA @ 100 V
Betriebstemperatur
-
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
-
Through Hole
Gehäuse / Hülle
-
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
DB-1