Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
40 V
175 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2V @ 20mA, 10A
1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10μA
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 5A, 5V
30 @ 200mA, 10V
Leistung - Max.
1.67 W
1.67 W
Frequenz - übergang
-
50MHz
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
TO-220AB
