Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
300 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4A
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 1 A
1.4 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 μA @ 600 V
200 μA @ 300 V
Kapazität bei Vr, F
80pF @ 0V, 1MHz
660pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
