Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
23A
36A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 6 A
1.4 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
30 μA @ 650 V
20 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
394pF @ 0V, 1MHz
611pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
TO-263-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
