Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
19A
11A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
-
1.7 V @ 3 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 650 V
50 μA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
480pF @ 0V, 1MHz
155pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-2 Isolated Tab
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2 Isolated Tab
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
