Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
11A
13.5A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 3 A
1.8 V @ 4 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 600 V
60 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
155pF @ 0V, 1MHz
251pF @ 0V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
TO-252-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
