FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Ta)
4.3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm @ 8A, 10V
2.5Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48.6 nC @ 10 V
36 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 30 V
710 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 40W (Tc)
2W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FI(LS)
TO-220FI(LS)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
