FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9.6A (Ta)
4.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
520mOhm @ 7A, 10V
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 1mA
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38.4 nC @ 10 V
44 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 30 V
850 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 37W (Tc)
2W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FI(LS)
TO-220FI(LS)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
