BD682S
BD682S
Active
Beschreibung:  POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   BD682S Datenblatt
Geschichte Preis: Active
Vorrätig: 1700
BD682S vs BD680A
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tube
Status
Active
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Darlington
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
2.8V @ 40mA, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500μA
500μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
750 @ 2A, 3V
Leistung - Max.
14 W
40 W
Frequenz - übergang
-
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-126-3
SOT-32-3