Transistor-Typ
NPN - Darlington
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
2.5V @ 30mA, 1.5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500μA
500μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
750 @ 1.5A, 3V
Leistung - Max.
40 W
40 W
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-225AA, TO-126-3
TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-32-3
SOT-32-3
