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APTGT75DA170D1G
APTGT75DA170D1G
Obsolete
Beschreibung:  IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Hersteller:  Microsemi Corporation
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 39680
APTGT75DA170D1G vs APTGT400A60D3G
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Bulk
Status
Obsolete
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Konfiguration
Single
Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1700 V
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
120 A
500 A
Leistung - Max.
520 W
1250 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2.4V @ 15V, 75A
1.9V @ 15V, 400A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5 mA
500 μA
EingangsKapazität (Cies) bei Vce
6.5 nF @ 25 V
24 nF @ 25 V
Eingang
Standard
Standard
NTC-Thermistor
No
No
Betriebstemperatur
-
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis Mount
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
D1
D-3 Module
Gehäusetyp vom Lieferanten
D1
D3